[发明专利]一种增强型MOSFET驱动电路及车载直流电源转换装置在审

专利信息
申请号: 201810489348.X 申请日: 2018-05-21
公开(公告)号: CN108429436A 公开(公告)日: 2018-08-21
发明(设计)人: 倪远;方波 申请(专利权)人: 苏州舜唐新能源电控设备有限公司
主分类号: H02M1/08 分类号: H02M1/08;H03K17/041;H03K17/687
代理公司: 北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11369 代理人: 韩飞
地址: 215200 江苏省苏州市吴江经*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供一种增强型MOSFET驱动电路,包括N型MOSFET、P型MOSFET、电阻R3、电容C73;N型MOSFET与P型MOSFET为互补对管;N型MOSFET的基底内部连接;P型MOSFET的基底内部连接;N型MOSFET的G极、P型MOSFET的G极连接PMW电路输入端;N型MOSFET的S极连接接地端;P型MOSFET的S极连接电源Vdd,N型MOSFET的D极、P型MOSFET的D极连接PMW电路输入端;N型MOSFET的S极与P型MOSFET的S极间并联电容C73;PMW电路输入端与接地端之间并联电阻R3。本发明还涉及一种车载直流电源转换装置。本发明具有较高的驱动电流能力,满足开关管输入结电容的快速充放电需要,同时能够保持驱动波形陡峭,从而提高电源的转换效率。
搜索关键词: 电路输入端 车载直流电源 内部连接 转换装置 接地端 增强型 基底 快速充放电 并联电容 并联电阻 连接电源 驱动波形 驱动电流 转换效率 结电容 开关管 电容 电阻 对管 陡峭 电源
【主权项】:
1.一种增强型MOSFET驱动电路,其特征在于:包括N型MOSFET、P型MOSFET、电阻R3、电容C73;所述N型MOSFET与所述P型MOSFET为互补对管;所述N型MOSFET的基底内部连接;所述P型MOSFET的基底内部连接;所述N型MOSFET的G极、所述P型MOSFET的G极连接PMW电路输入端;所述N型MOSFET的S极连接接地端;所述P型MOSFET的S极连接电源Vdd,所述N型MOSFET的D极、所述P型MOSFET的D极连接PMW电路输入端;所述N型MOSFET的S极与所述P型MOSFET的S极间并联电容C73;所述PMW电路输入端与接地端之间并联电阻R3;所述电容C73为1μF,所述PMW电路输入端的频率大于等于200HZ;当输入方波为负时,所述P型MOSFET导通,所述N型MOSFET截止;当输入方波为正时,所述N型MOSFET导通,所述P型MOSFET截止。
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