[发明专利]一种阴离子调控的8-羟基喹啉金属配合物四聚晶体及其制备方法在审
| 申请号： | 201810490392.2 | 申请日： | 2017-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN108530471A | 公开（公告）日： | 2018-09-14 |
| 发明（设计）人： | 霍延平;田亚娟;杨百兴;蔡宁;李宗植;李俊同 | 申请（专利权）人： | 广东工业大学 |
| 主分类号： | C07F3/08 | 分类号： | C07F3/08;C07F3/06;C09K11/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张春水;唐京桥 |
| 地址： | 510060 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请属于金属配合物领域，具体涉及一种阴离子调控的8‑羟基喹啉金属配合物四聚晶体及其制备方法。本发明所提供的阴离子调控的8‑羟基喹啉金属配合物四聚晶体，其化学结构如式(I)所示，具有较高的发光强度、良好的热稳定性以及较长的荧光寿命，在有机发光材料的制备上存在很大的应用潜能，也可用于研究不同阴离子对其配位构型以及发光性能的影响。此外，本发明所提供的金属配合物四聚晶体原料成本低廉，来源广泛，设备简单，工艺优化，可实现大规模的生产，具有广阔的发展前景。 | ||
| 搜索关键词： | 阴离子 四聚 金属配合物 式( I ) 制备 羟基喹啉金属 配合物 调控 有机发光材料 发光性能 工艺优化 晶体原料 热稳定性 应用潜能 荧光寿命 构型 可用 配位 申请 生产 研究 | ||
【主权项】：
1.一种阴离子调控的8‑羟基喹啉金属配合物四聚晶体，其结构如通式Ⅰ所示：![]()
其中，M选自Cd；R选自AcO、I或NO3。
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