[发明专利]一种在MEMS结构中制造金属引脚垫的方法有效
| 申请号： | 201810490519.0 | 申请日： | 2018-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN108622852B | 公开（公告）日： | 2020-05-12 |
| 发明（设计）人： | 李立伟;陆原;马琳 | 申请（专利权）人： | 赛莱克斯微系统科技（北京）有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京众达德权知识产权代理有限公司 11570 | 代理人： | 刘杰 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区经济技术开发区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在MEMS结构中制造金属引脚垫的方法，包括：提供半导体基体结构，在所述半导体结构上生长层间介质层；在所述层间介质层上生长钝化层；在所述钝化层上刻蚀通孔；在所述刻蚀有通孔的半导体基体结构上沉积保护层；在所述保护层上生长金属引脚垫；湿法刻蚀去除未被金属引脚垫填充和覆盖的保护层。本发明通过对薄膜制备工艺的优选和附加使用释放内应力集中的退火工艺，能够有效防止介质层和钝化层的破裂，避免器件经历多次湿法刻蚀时刻蚀溶液对金属线的腐蚀，大大提高器件的良率和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mems 结构 制造 金属 引脚 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在MEMS结构中制造金属引脚垫的方法，其特征在于，包括以下步骤：提供半导体基体结构，所述半导体基体结构包括有源区层，在所述半导体结构上生长层间介质层；在所述层间介质层上生长钝化层；在所述钝化层上刻蚀通孔；在所述刻蚀有通孔的半导体基体结构上沉积保护层；在所述保护层上生长金属引脚垫；湿法刻蚀去除未被金属引脚垫填充和覆盖的保护层，直至露出钝化层的上表面。
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