[发明专利]金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法、显示器有效
| 申请号： | 201810491260.1 | 申请日： | 2018-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN108711548B | 公开（公告）日： | 2020-04-10 |
| 发明（设计）人： | 林钦遵;黄贵华 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/34;H01L29/786 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰;武岑飞 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种金属氧化物薄膜晶体管的制作方法。所述制作方法包括以下步骤：在基板上形成层叠的遮光层、金属氧化物半导体层、栅极以及第一光阻图案层；在所述金属氧化物半导体层和所述第一光阻图案层上形成第二光阻层；对所述第二光阻层和所述第一光阻图案层进行灰化处理，并将灰化后的所述第二光阻层和所述第一光阻图案层剥离；在所述金属氧化物半导体层和所述栅极上形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成穿过所述第一绝缘层以分别于所述金属氧化物半导体层接触的源极和漏极。本发明通过在半导体化处理后硬化的第一光阻图案层上再次沉积第二光阻层，使得第二光阻层和第一光阻图案层构成流平的光阻层，二者在灰化处理后能够易于被剥离。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 薄膜晶体管 及其 制作方法 显示器 | ||
【主权项】：
1.一种金属氧化物薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括以下步骤：在基板上形成层叠的遮光层、金属氧化物半导体层、栅极以及第一光阻图案层；在所述金属氧化物半导体层和所述第一光阻图案层上形成第二光阻层；对所述第二光阻层和所述第一光阻图案层进行灰化处理，并将灰化后的所述第二光阻层和所述第一光阻图案层剥离；在所述金属氧化物半导体层和所述栅极上形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成穿过所述第一绝缘层以分别于所述金属氧化物半导体层接触的源极和漏极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
