[发明专利]一种碳化硅深沟槽超结SBD器件及制备方法在审
| 申请号： | 201810494560.5 | 申请日： | 2018-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN111653626A | 公开（公告）日： | 2020-09-11 |
| 发明（设计）人： | 袁俊;黄兴;徐妙玲;倪炜江;耿伟 | 申请（专利权）人： | 北京世纪金光半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 11003 | 代理人： | 张永革 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种具有深沟槽和侧壁注入的碳化硅超结SBD器件元胞结构，所述元胞结构的N‑外延层中设置有若干个深沟槽，深沟槽的侧壁及底部注入或二次外延工艺构造一圈P Plus，然后在深沟槽的底部填入High‑K介质或SiO2，然后上部的其余部分中填入P型掺杂的多晶硅或金属，并与肖特基区的肖特基接触金属相连，填充的金属部分与侧壁也构成肖特基接触。本申请通过在碳化硅SBD器件元胞中结合深沟槽结构和与其相连P Plus结构，构造出一种新颖的超结器件，能避免传统超结结构的深注入或多次外延工艺的难度，进一步降低器件正向导通损耗，增强SBD器件的耐压能力，可靠性和抗干扰能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 深沟 槽超结 sbd 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京世纪金光半导体有限公司，未经北京世纪金光半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810494560.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
