[发明专利]一种含百纳米尺寸通孔的光学高分辨率测试靶的制造方法有效

专利信息
申请号: 201810499137.4 申请日: 2018-05-23
公开(公告)号: CN108680344B 公开(公告)日: 2020-04-03
发明(设计)人: 谢虔;汪林俊;章维勇;苑震生 申请(专利权)人: 中国科学技术大学
主分类号: G01M11/02 分类号: G01M11/02
代理公司: 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 代理人: 杨学明;卢纪
地址: 230026 安*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明涉及一种在透明玻璃基底上镀金属膜并用聚焦离子束方法刻蚀百纳米尺寸通孔的光学高分辨率测试靶的制造方法。其特征在于:使用磁控溅射或电子束蒸发镀膜技术在合适厚度的玻璃基底上镀一层合适厚度的金属膜,将该结构放置入聚焦离子束设备时使用导电胶带将金属膜与设备样品台相粘接,然后设计合理的刻蚀通孔及图案排布,使用聚焦离子束在非目标区刻蚀,通过设备自带的扫描电子显微镜进行成像,判断是否刻蚀通透以调整离子束参数,再在目标区刻蚀。这种方法有效地解决了绝缘基底结构影响聚焦离子束刻蚀的问题,并可获得稳定性状的百纳米尺寸通孔用于光学高分辨率成像系统标定。
搜索关键词: 一种 纳米 尺寸 光学 高分辨率 测试 制造 方法
【主权项】:
1.一种含百纳米尺寸通孔的光学高分辨率测试靶的制造方法,其特征在于,包括:步骤一、在基底材料上镀一层预设厚度的金属膜;步骤二、刻蚀前,根据预设目标需求设计刻蚀通孔或图案的尺寸及排布;步骤三、使用导电胶带将基底材料上的金属膜表面边缘粘连到FIB样品台的导电底板上;步骤四、对样品进行FIB刻蚀时,需要在样品边缘区域进行离子源参数调试;步骤五、刻蚀完成后,通过搭建的简易成像光路对通孔阵列或图案进行成像测试,验证小孔或图案是否刻蚀完成并真正打透。
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