[发明专利]腔室内衬、反应腔室及半导体加工设备有效
申请号: | 201810500593.6 | 申请日: | 2018-05-23 |
公开(公告)号: | CN110534391B | 公开(公告)日: | 2022-04-22 |
发明(设计)人: | 高志民 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;张天舒 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及一种腔室内衬,包括:沿腔室轴线且由顶部至底部的方向上依次设置的主通气板和至少一个子通气板,其中,所述主通气板和所述子通气板均包括挡部和通气口,其中一个通气板的所述通气口被其余至少一个通气板的所述挡部遮挡,且相邻两个通气板之间均形成气体流通空间。本发明还提供一种反应腔室及半导体加工设备,可以很好地减少等离子体自内衬的通气口跑出对其他零部件进行刻蚀,还可以防止刻蚀产生的颗粒经过该通气口进入工艺空间影响工艺。 | ||
搜索关键词: | 内衬 反应 半导体 加工 设备 | ||
【主权项】:
1.一种腔室内衬,其特征在于,包括:沿腔室轴线且由顶部至底部的方向上依次设置的主通气板和至少一个子通气板,其中,/n所述主通气板和所述子通气板均包括挡部和通气口,其中一个通气板的所述通气口被其余至少一个通气板的所述挡部遮挡,且相邻两个通气板之间均形成气体流通空间。/n
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