[发明专利]一种二维单层Ag SHINs膜的制备方法在审
| 申请号： | 201810501588.7 | 申请日： | 2018-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN108642487A | 公开（公告）日： | 2018-10-12 |
| 发明（设计）人： | 李剑锋;杨晶亮;金志平 | 申请（专利权）人： | 厦门斯贝克科技有限责任公司 |
| 主分类号： | C23C24/00 | 分类号： | C23C24/00;B22F1/02;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 厦门南强之路专利事务所(普通合伙) 35200 | 代理人： | 马应森 |
| 地址： | 361000 福建省厦门市思*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种二维单层Ag SHINs膜的制备方法，涉及Ag SHINs膜。将制备好的Ag SHINs置于容器中，随后加入环己烷超声，再加入乙醇后静置；将在环己烷与水的界面处形成的二维单层Ag SHINs膜转移至亲水处理过的硅片或其他衬底材料上备用。以Ag SHINs纳米粒子为原料，以环己烷为油性物质与水形成油/水两相界面，再以乙醇为两种物质的共溶剂，使Ag SHINs在环己烷与水的界面处自组装形成。所采用的物质仅仅包含环己烷和乙醇。制备工艺简单、方便、快捷，安全无毒，仅仅需要简单的设备即可获得大批量大规模的二维单层Ag SHINs膜，能够应用于表面增强拉曼光谱技术、荧光增强技术等。 | ||
| 搜索关键词： | 环己烷 单层 二维 乙醇 制备 界面处 表面增强拉曼光谱 衬底材料 两相界面 纳米粒子 荧光增强 油性物质 制备工艺 共溶剂 膜转移 自组装 水处理 硅片 超声 备用 无毒 应用 安全 | ||
【主权项】：
1.一种二维单层Ag SHINs膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：1)将制备好的Ag SHINs置于容器中，随后加入环己烷，超声，再加入乙醇后静置；2)将在环己烷与水的界面处形成的二维单层Ag SHINs膜转移至亲水处理过的硅片或其他衬底材料上备用。
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