[发明专利]发光二极管和隧道结层的制造方法在审
| 申请号： | 201810501874.3 | 申请日： | 2018-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN108933186A | 公开（公告）日： | 2018-12-04 |
| 发明（设计）人： | 鹈沢旭;濑尾则善;松村笃;粟饭原范行 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/30 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 苗堃;金世煜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种发光二极管，其提高介由隧道结部将多个发光部层积而成的发光二极管的发光功率。发光元件层(10)是依次将n型接触层(11)、第1发光层(12)、隧道结层(13)、第2发光层(14)和p型接触层(15)层积而构成，第1发光层(12)和第2发光层(14)在同一波长发光。隧道结层(13)具有由含有p型杂质(C)的AlGaAs构成的p型隧道层(131)和由含有n型杂质(Te)的GaInP构成的n型隧道层(133)，在p型隧道层(131)和n型隧道层(133)之间，设有与n型隧道层(133)相比含有高浓度的n型杂质的高浓度n型杂质含有层(132)。 | ||
| 搜索关键词： | 隧道层 发光层 发光二极管 隧道结层 发光元件层 发光部层 发光功率 同一波长 隧道结 层积 发光 制造 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管，其特征在于，具有：第1发光部，具有第1p型层、第1n型层和第1活性层，所述第1p型层含有化合物半导体和p型杂质，所述第1n型层含有化合物半导体和n型杂质，第1活性层含有化合物半导体并被该第1p型层和该第1n型层夹持，第2发光部，具有第2p型层、第2n型层和第2发光部，所述第2p型层含有化合物半导体和p型杂质，所述第2n型层含有化合物半导体和n型杂质，所述第2活性层含有化合物半导体并被该第2p型层和该第2n型层夹持，并且，所述第2发光部与所述第1发光部在同一波长发光，隧道结部，具有第3p型层和第3n型层，所述第3p型层含有AlxGa1－xAs和p型杂质，其中，0≤x≤0.3，并且，与所述第1p型层对峙，所述第3n型层含有(AlxGa1－x)yIn1－yP和n型杂质，其中，0≤x≤0.2，0.4≤y≤0.6，并且，与所述第2n型层对峙，所述隧道结部被所述第1发光部和所述第2发光部夹持并以该第3p型层和该第3n型层形成隧道结。
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