[发明专利]包括纳米线的器件与其制作方法有效
申请号: | 201810502936.2 | 申请日: | 2018-05-23 |
公开(公告)号: | CN108878422B | 公开(公告)日: | 2021-01-22 |
发明(设计)人: | 李俊杰;吴振华;张青竹;王文武 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | H01L27/092 | 分类号: | H01L27/092;H01L29/10;H01L21/8238;H01L21/8252;B82Y40/00 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 韩建伟;霍文娟 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本申请提供了一种包括纳米线的器件与其制作方法。该制作方法包括:步骤S1,提供具有凹槽的基底;步骤S2,在凹槽中填充绝缘材料,形成绝缘部,凹槽与绝缘部一一对应;步骤S3,刻蚀去除绝缘部两侧的基底的部分,剩余的且位于绝缘部两侧壁上的基底形成多个堆叠的纳米线,剩余的除纳米线之外的基底形成第一基底本体,绝缘部位于第一基底本体的表面上。上述的制作方法形成的纳米线的晶格比较完美,器件的性能较好;并且,该制作方法中,纳米线附着在绝缘部上,即绝缘部为纳米线提供了支撑,使得该纳米线可以做得很长且很细,不会发生断裂问题,且可以实现纳米线的高密度。 | ||
搜索关键词: | 包括 纳米 器件 与其 制作方法 | ||
【主权项】:
1.一种包括纳米线的器件的制作方法,其特征在于,所述制作方法包括:步骤S1,提供具有凹槽的基底;步骤S2,在所述凹槽中填充绝缘材料,形成绝缘部,所述凹槽与所述绝缘部一一对应;以及步骤S3,刻蚀去除所述绝缘部两侧的所述基底的部分,剩余的且位于所述绝缘部两侧壁上的所述基底形成多个堆叠的纳米线,剩余的除所述纳米线之外的所述基底形成第一基底本体,所述绝缘部位于上述第一基底本体的表面上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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