[发明专利]一种二维磷化钼薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201810503366.9 | 申请日： | 2018-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN108588713A | 公开（公告）日： | 2018-09-28 |
| 发明（设计）人： | 台国安;胡廷松;伍增辉;王睿 | 申请（专利权）人： | 南京航空航天大学 |
| 主分类号： | C23C26/00 | 分类号： | C23C26/00 |
| 代理公司： | 江苏圣典律师事务所 32237 | 代理人： | 贺翔 |
| 地址： | 210016 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种二维磷化钼薄膜的制备方法，属于二维薄膜制备领域，本发明包括：将金属钼箔基底置于真空反应炉中，通过抽真空以除去真空腔内氧气的情况下，将反应源在超过其熔点的温度下进行加热使其挥发，通过载气将其输运到真空腔中，将管式炉升温到200℃‑1100℃，在反应温度下保持1min‑180min使金属钼箔基底与反应源反应，以获得厚度可控的二维磷化钼薄膜。本发明采用化学气相沉积法，在金属钼箔基底直接经过磷化可控生长出二维薄膜，从而提供了一种制备大面积过渡族金属磷化物薄膜的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 薄膜 金属钼 磷化钼 二维 基底 二维薄膜 反应源 真空腔 熔点 化学气相沉积 过渡族金属 真空反应炉 厚度可控 可控生长 抽真空 管式炉 磷化物 挥发 磷化 输运 载气 加热 氧气 | ||
【主权项】：
1.一种二维磷化钼薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将金属基底置于真空反应炉中，通过抽真空除去真空腔内氧气；将反应源在超过其熔点的温度下进行加热使其挥发，通过载气将其输运到真空腔中；将管式炉升温到200℃‑1100℃，保持1min‑180min使金属基底与反应源反应，获得二维磷化钼薄膜。
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