[发明专利]静电吸盘在审
| 申请号： | 201810503741.X | 申请日： | 2018-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN108695225A | 公开（公告）日： | 2018-10-23 |
| 发明（设计）人： | 姜祎祎;吴人杰 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种静电吸盘，主要包括底座、陶瓷体及层叠体，层叠体位于底座及陶瓷体之间，层叠体包括密封结构及加热结构等，密封结构环绕加热结构，并且，密封结构靠近底座一侧的面积较靠近陶瓷体一侧的面积大。本发明的密封结构可增加其有效刻蚀面积，延长静电吸盘内部抵抗等离子体轰击的时间，从而延长静电吸盘的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 静电吸盘 密封结构 层叠体 陶瓷体 底座 加热结构 等离子体轰击 使用寿命 刻蚀 环绕 抵抗 | ||
【主权项】：
1.一种静电吸盘，其特征在于，所述静电吸盘主要包括底座、陶瓷体及层叠体，所述层叠体位于所述底座及所述陶瓷体之间，所述层叠体包括密封结构及加热结构，所述密封结构环绕所述加热结构，并且，所述密封结构靠近所述底座一侧的面积较靠近所述陶瓷体一侧的面积大。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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