[发明专利]一种应用于SRAM的可调节WLUD读写辅助电路有效
| 申请号： | 201810504047.X | 申请日： | 2018-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN108766493B | 公开（公告）日： | 2021-04-02 |
| 发明（设计）人： | 刘雯;王建国;何宏瑾 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/419 | 分类号： | G11C11/419;G11C11/418 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种应用于SRAM的可调节WLUD读写辅助电路，包括：字线电压感应模块，通过侦测复制的SRAM存储单元中内部节点电压来实现对施加于SRAM存储单元中传输管栅极的字线WL电压的间接侦测，以判定是否需要进行下字线驱动降挡并输出字线电压降档所需的开关控制信号；下字线驱动幅度控制模块，用于产生字线偏置电压产生模块所需的运放偏置电压，并在开关控制信号的控制下，提供不同档位的字线参考电压；字线偏置电压产生模块，用于产生复制字线电压至运算放大器和字线电压感应模块，并产生字线偏置电压输出至与字线直接相连的字线驱动模块；字线驱动模块，用于在字线偏置电压的控制下产生施加于SRAM存储单元中传输管栅极的字线电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 应用于 sram 调节 wlud 读写 辅助 电路 | ||
【主权项】：
1.一种应用于SRAM的可调节WLUD读写辅助电路，包括：字线电压感应模块，用于通过侦测复制的SRAM存储单元中内部节点P的电压Vout_SENSOR来实现对施加于SRAM存储单元中传输管的栅极的字线WL电压的间接侦测，以判定是否需要进行下字线驱动降档并输出字线电压降档所需的开关控制信号SEL[n:0]；下字线驱动幅度控制模块，用于产生字线偏置电压产生模块所需的运放偏置电压VBIAS_OP，并在所述字线电压感应模块输出的开关控制信号SEL[n:0]的控制下，通过接通不同的传输门以提供不同档位的字线参考电压WL_REF；字线偏置电压产生模块，用于产生复制字线电压WL_replicate供运算放大器和所述字线电压感应模块使用，并产生字线偏置电压WL_BIAS输出至与字线直接相连的字线驱动模块，以实现字线WL电压的电压调节；字线驱动模块，用于在所述字线偏置电压产生模块输出的字线偏置电压WL_BIAS的控制下产生施加于SRAM存储单元中传输管的栅极的字线WL电压。
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