[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 201810504714.4 | 申请日： | 2018-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN109148567A | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 郑镛国;朴奏泫;李晓昔 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/41 | 分类号： | H01L29/41;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括从衬底突出的多个有源图案。该半导体器件还包括栅极结构。该栅极结构形成在有源图案上，并且跨越有源图案。该栅极结构包括金属。该半导体结构还包括形成在栅极结构上的封盖结构，以及从栅极结构的上表面突出的电介质残留物。该电介质残留物延伸到封盖结构中，并且包括金属。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极结构 半导体器件 源图案 电介质 封盖结构 金属 半导体结构 上表面 衬底 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：多个有源图案，所述多个有源图案从衬底的表面突出；栅极结构，所述栅极结构在所述有源图案上，所述栅极结构跨越所述有源图案并且包括第一金属；封盖结构，所述封盖结构在所述栅极结构上；以及电介质残留物，所述电介质残留物从所述栅极结构的上表面突出并延伸到所述封盖结构中，所述电介质残留物包括第二金属。
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