[发明专利]一种新型芯片光源结构及其制备工艺在审
| 申请号： | 201810504809.6 | 申请日： | 2018-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN108767077A | 公开（公告）日： | 2018-11-06 |
| 发明（设计）人： | 李锋;吉爱华;叶浩文 | 申请（专利权）人： | 深圳市光脉电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/12;H01L33/56;H01L21/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518100 广东省深圳市宝安*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种新型芯片光源结构，包括外延结构、N面电极层以及P面电极层；外延结构包括从下到上依次设置的钻石衬底、碳化硅过渡层、氮化铝过渡层、GaP缓冲层、GaP电流扩展和欧姆接触层、AlGaInP过渡和下限制层、发光层、AlGaInP上限制层以及窗口层；窗口层上设有N面电极层或P面电极层；GaP电流扩展和欧姆接触层上设有N面电极层或P面电极层；使用钻石衬底作为外延生长衬底，并使用碳化硅过渡层、氮化铝过渡层、磷化镓作为缓冲层，不存在衬底光吸收问题，可以抑制晶格失配和热膨胀系数失配导致的材料生长缺陷，大幅度提高光输出能力，减少了环境污染；同时，采用可模塑有机硅模粒成型工艺光色品质好、可靠性高、优化了工艺、降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 氮化铝过渡层 欧姆接触层 电流扩展 光源结构 外延结构 新型芯片 窗口层 过渡层 缓冲层 碳化硅 钻石 热膨胀系数 材料生长 成型工艺 晶格失配 上限制层 外延生长 下限制层 依次设置 制备工艺 发光层 光输出 光吸收 磷化镓 有机硅 光色 模粒 失配 优化 | ||
【主权项】：
1.一种新型芯片光源结构，其特征在于，包括外延结构、N面电极层以及P面电极层，所述外延结构包括从下到上依次设置的钻石衬底、碳化硅过渡层、氮化铝过渡层、GaP缓冲层、GaP电流扩展和欧姆接触层、AlGaInP过渡和下限制层、发光层、AlGaInP上限制层以及窗口层；所述窗口层上设有所述N面电极层或所述P面电极层；所述GaP电流扩展和欧姆接触层上设有所述N面电极层或所述P面电极层；所述N面电极层为负极，所述P面电极层为正极。
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