[发明专利]一种常开型GaN FET的直接驱动电路有效
| 申请号： | 201810505115.4 | 申请日： | 2018-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN108696268B | 公开（公告）日： | 2021-09-24 |
| 发明（设计）人： | 李先允;常印;倪喜军 | 申请（专利权）人： | 南京工程学院 |
| 主分类号： | H03K3/021 | 分类号： | H03K3/021 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 饶欣 |
| 地址： | 210000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种常开型GaN FET的直接驱动电路，包括驱动输入模块、LVMOS驱动模块、欠压保护模块、CSD模块和过电流保护模块，驱动输入模块输出信号至LVMOS驱动模块、CSD模块和JFET管J1，欠压保护模块和过电流保护模块分别输出信号至驱动输入模块，CSD模块分别连接欠压保护模块、LVMOS驱动模块、JFET管J1的漏极和GaN FET管F1的栅极，JFET管J1的源极分别连接P型LVMOSFET管L1的漏极和欠压保护模块，P型LVMOSFET管L1的源极分别连接欠压保护模块和GaN FET管F1的源极，P型LVMOSFET管L1的栅极连接LVMOS驱动模块，GaN FET管F1的漏极连接过电流保护模块。本发明能够降低开关损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 常开 gan fet 直接 驱动 电路 | ||
【主权项】：
1.一种常开型GaN FET的直接驱动电路，其特征在于：包括驱动输入模块(1)、LVMOS驱动模块(2)、欠压保护模块(3)、CSD模块(4)和过电流保护模块(5)，驱动输入模块(1)输出信号至LVMOS驱动模块(2)、CSD模块(4)和JFET管J1，欠压保护模块(3)和过电流保护模块(5)分别输出信号至驱动输入模块(1)，CSD模块(4)分别连接欠压保护模块(3)、LVMOS驱动模块(2)、JFET管J1的漏极和GaN FET管F1的栅极，JFET管J1的源极分别连接P型LVMOSFET管L1的漏极和欠压保护模块(3)，P型LVMOSFET管L1的源极分别连接欠压保护模块(3)和GaN FET管F1的源极，P型LVMOSFET管L1的栅极连接LVMOS驱动模块(2)，GaN FET管F1的漏极连接过电流保护模块(5)。
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