[发明专利]动态导通阻抗自动化提取电路及自动化提取方法

摘要

本发明公开了一种基于AlGaN/GaN HEMT器件的高频高压动态导通阻抗自动化提取电路，供电单元一通过串联负载给器件漏极供电，电流监测单元一测量通过器件的电流，驱动单元一为器件提供所需的调制驱动；供电单元二通过恒流源给Q1供电，Q1的栅极与驱动单元二连接，电流监测单元二用于测量通过Q1的电流，驱动单元二为Q1提供驱动，与驱动单元一信号同步，电压监测单元一用于测量Q1漏极电压，电压监测单元二用于测量器件栅极电压。并公开导通阻抗自动化提取方法。本发明采用隔离测量法测量导通阻抗，电路结构简单，监测电压始终为低压；采用双二极管背靠背连接法使二极管的前向导通压降一致；采用特定的极小结电容二极管，可使测量频率与实际电路设计工作频率相同。

主权项

1.一种基于AlGaN/GaN HEMT器件的高频高压动态导通阻抗自动化提取电路，包括：AlGaN/GaN HEMT器件、供电单元一、供电单元二、负载单元、恒流源I1、驱动单元一、驱动单元二、电压监测单元一、电压监测单元二、电流监测单元一、电流监测单元二、数字控制器、二极管D1、D2和D3、场效应管Q1，其中供电单元一给AlGaN/GaN HEMT器件的漏极供电，在供电单元一与AlGaN/GaN HEMT器件的漏极之间还串连有负载单元，AlGaN/GaN HEMT器件源极接地，电流监测单元一设置于AlGaN/GaN HEMT器件源极侧，用于测量通过AlGaN/GaN HEMT器件的电流，驱动单元一为AlGaN/GaN HEMT器件提供所需的调制驱动；供电单元二与恒流源I1串联，恒流源I1连接到B点，D1的正极连接到B点，负极连接到AlGaN/GaN HEMT器件的漏极，D3的负极连接到B点，正极接地，D2的正极连接到B点，负极连接到Q1的漏极，Q1的栅极与驱动单元二连接，Q1的源极接地，电流监测单元二设置于Q1源极侧，用于测量通过Q1的电流，驱动单元二为Q1提供所需脉宽调制驱动，使其工作在线性状态，电压监测单元一用于测量Q1漏极电压，电压监测单元二用于测量AlGaN/GaN HEMT器件栅极驱动电压；数字控制器用于接收电压监测单元一、电压监测单元二、电流监测单元一、电流监测单元二的信号，发送驱动信号到驱动单元一，并将同步的驱动信号发送给驱动单元二，并输出计算结果。