[发明专利]提升SSD响应延迟的方法及装置在审
申请号: | 201810508551.7 | 申请日: | 2018-05-24 |
公开(公告)号: | CN108762674A | 公开(公告)日: | 2018-11-06 |
发明(设计)人: | 王猛;王伟良;徐伟华 | 申请(专利权)人: | 深圳忆联信息系统有限公司 |
主分类号: | G06F3/06 | 分类号: | G06F3/06 |
代理公司: | 深圳市精英专利事务所 44242 | 代理人: | 冯筠 |
地址: | 518067 广东省深圳市南山区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种提升SSD响应延迟的方法及装置,包括以下步骤,发起写入4KB数据请求;将4KB数据切分成多个分片单元,并写入到不同的NAND DIE上;更新分片单元对应的物理地址到映射表;发起读取4KB数据请求;根据映射表中的物理地址从对应的NAND DIE并发读取数据。本方案采用可变的分片策略,将4KB数据切分成多份,并写入到不同NAND DIE上,在主机读取对应4KB数据时,从对应的NAND DIE并发传输数据,降低了数据传输时间,进而降低了SSD数据读取的命令响应延迟时间,提高数据传输效率。 | ||
搜索关键词: | 读取 写入 数据请求 物理地址 响应延迟 映射表 数据传输效率 并发传输 命令响应 数据传输 数据读取 可变的 延迟 主机 并发 更新 | ||
【主权项】:
1.一种提升SSD响应延迟的方法,其特征在于,包括以下步骤,发起写入4KB数据请求;将4KB数据切分成多个分片单元,并写入到不同的NAND DIE上;更新分片单元对应的物理地址到映射表;发起读取4KB数据请求;根据映射表中的物理地址从对应的NAND DIE并发读取数据。
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