[发明专利]半导体光电元件的制作方法有效
| 申请号： | 201810510295.5 | 申请日： | 2012-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN108447855B | 公开（公告）日： | 2020-11-24 |
| 发明（设计）人： | 林俊宇;倪庆怀;陈怡名 | 申请（专利权）人： | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/075 | 分类号： | H01L25/075;H01L33/00;H01L33/22;H01L33/38;H01L33/46;H01L33/62 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体光电元件的制作方法，其包含提供一第一基板、形成一第一半导体外延叠层及一第二半导体外延叠层于第一基板上、提供一第二基板、转移第二半导体外延叠层至第二基板上、切割第一基板以形成一第一半导体光电元件包含上述第一半导体外延叠层、以及切割第二基板以形成一第二半导体光电元件包含上述第二半导体外延叠层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 光电 元件 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体发光元件，其特征在于，包含：承载基板；以及多个半导体发光单元于该承载基板上；其中，每一该半导体发光单元包含：第一型半导体层，具有第一表面及侧壁、第二型半导体层，具有第二表面相对于该第一表面；活性层，位于该第一型半导体层及该第二型半导体层之间；第一电极，直接接触该第一表面；以及绝缘层，覆盖该侧壁但不覆盖该第一表面。
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