[发明专利]EUV光刻用防护膜及其制造方法有效
| 申请号： | 201810511606.X | 申请日： | 2018-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN109765752B | 公开（公告）日： | 2022-08-09 |
| 发明（设计）人： | 南基守;李昌焄;洪朱憙;朴铁均 | 申请（专利权）人： | 思而施技术株式会社 |
| 主分类号： | G03F1/48 | 分类号： | G03F1/48;G03F1/22;G03F1/80;G03F1/76;G03F1/62 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 樊晓焕;金小芳 |
| 地址： | 韩国大*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种极紫外(EUV)光刻用防护膜。该防护膜可以包括：支撑层图案，其通过蚀刻支撑层而形成；防护膜层，其形成在所述支撑层图案上；和蚀刻停止层图案，其形成在所述支撑层图案与所述防护膜层之间，并且在蚀刻所述支撑层时通过对停止蚀刻的蚀刻停止层进行蚀刻而形成。因此，本发明提供了一种EUV光掩模用防护膜，其在具有最小厚度的同时保持了高的EUV曝光光线透过率，并且机械强度和热特性优异。 | ||
| 搜索关键词： | euv 光刻 防护 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种极紫外(EUV)光刻用防护膜，该防护膜包括：支撑层图案，其通过蚀刻支撑层而形成；防护膜层，其形成在所述支撑层图案上；和蚀刻停止层图案，其形成在所述支撑层图案与所述防护膜层之间，并且在蚀刻所述支撑层时通过对停止蚀刻的蚀刻停止层进行蚀刻而形成。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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