[发明专利]直拉硅单晶的引晶方法及其制造方法有效
| 申请号： | 201810515361.8 | 申请日： | 2018-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN110528068B | 公开（公告）日： | 2021-09-07 |
| 发明（设计）人： | 王正远;李侨;周锐 | 申请（专利权）人： | 隆基绿能科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20;C30B29/06 |
| 代理公司： | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人： | 钟欢 |
| 地址： | 710100 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开一种直拉硅单晶的引晶方法，以引晶速度偏差调控引晶温度，引晶速度偏差为引晶调温周期内的平均引晶速度与设定引晶速度的差值。若引晶速度偏差为正，引晶温度正向微调；若引晶速度偏差为负，引晶温度负向微调。根据缩径过程差异，引晶温度调控方式包括：整个引晶过程仅有一连续缩径过程，在整个过程中调控，引晶温度微调量根据功率调节系数设定；或引晶过程为一非连续缩径过程，包括第一缩径过程、等细晶过程和第二缩径过程，经第二缩径过程达到缩径目标直径，在等细晶过程中进行一次引晶温度调控，引晶温度微调量根据功率调节系数设定。本发明还公开采用上述引晶方法的直拉硅单晶的生产方法。本发明引晶准确调温，提高了单晶成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 直拉硅单晶 方法 及其 制造 | ||
【主权项】：
1.直拉硅单晶的引晶方法，其特征在于，以引晶速度偏差调控引晶温度，所述引晶速度偏差为引晶调温周期内的平均引晶速度减去设定引晶速度所得的差值。/n
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