[发明专利]半导体储存器结构及其字线制造方法

摘要

本发明提供一种半导体储存器结构及其字线制造方法，该制造方法在衬底中制备出多重式的字线凹槽，字线凹槽由深度不同的第一字线凹槽与第二字线凹槽水平连通而成，并基于该字线凹槽制作非对称埋入式的字线在衬底中。利用本发明制作得到的埋入式字线作为MOS管的栅极，可以增加MOS管源极与漏极之间的距离，从而使得MOS管具备更长的沟道，有效防止短沟道效应。本发明可以在同样的字线密度下增加字线与字线之间的有效距离，从而降低字线与字线之间的耦合。本发明中相邻两条字线的底端偏离方向相反，可以使得晶体管之间的耦合明显降低。

主权项

1.一种半导体储存器结构的字线制造方法，其特征在于，包括如下步骤：/n提供一衬底，所述衬底表面形成有一衬底保护层；/n形成多个第一开口在所述衬底保护层中，以形成藉由所述第一开口间隔的多个衬底保护层单元；/n形成一硬掩膜层在所述第一开口中及所述衬底保护层表面；/n形成一光阻层在所述硬掩膜层表面，并形成多个第二开口在所述光阻层中，以形成藉由所述第二开口间隔的多个光阻单元，其中，多个所述光阻单元依次排布于所述第一开口之上与所述衬底保护层单元之上，所述第一开口的宽度大于其上的所述光阻单元的宽度，且所述第一开口的两端均突出于其上的所述光阻单元的两端之外，所述衬底保护层单元的宽度大于其上的所述光阻单元的宽度，且所述衬底保护层单元的两端均突出于其上的所述光阻单元的两端之外，使得所述第二开口所打开范围内的所述衬底之上具有由所述硬掩膜层组成的第一遮挡部以及由所述衬底保护层与所述硬掩膜层叠加组成的第二遮挡部；/n以所述光阻层、所述硬掩膜层及所述衬底保护层共同作为掩膜，刻蚀得到多个字线凹槽在所述衬底中，所述字线凹槽具有与所述第一遮挡部位置相对应的第一字线凹槽部以及与所述第二遮挡部位置相对应的第二字线凹槽部，所述第一字线凹槽部与所述第二子线凹槽部的深度不同；/n基于所述字线凹槽形成多条字线于所述衬底中，所述字线包括填充于所述第一字线凹槽部内的第一字线部及填充于所述第二字线凹槽部内的第二字线部。/n