[发明专利]横向扩散金属氧化物半导体器件的制造方法及半导体器件在审
| 申请号： | 201810515878.7 | 申请日： | 2018-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN108682691A | 公开（公告）日： | 2018-10-19 |
| 发明（设计）人： | 游步东;王猛;喻慧;杜益成;彭川 | 申请（专利权）人： | 矽力杰半导体技术（杭州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/10 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310012 浙江省杭州市西湖区文三路90*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种横向扩散金属氧化物半导体器件的制造方法及半导体器件，使体区在栅介质层和栅极导体形成之前形成，从而有利于减小所述半导体器件的沟道长度，降低导通电阻，且使漂移区既用作耐压区，又作为阻碍体区横向扩散的扩散抑制区，可进一步减小所述半导体器件的沟道长度，实现短沟道半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 横向扩散金属氧化物半导体器件 沟道 减小 导通电阻 横向扩散 扩散抑制 栅极导体 栅介质层 短沟道 耐压区 漂移区 阻碍体 体区 制造 | ||
【主权项】：
1.一种横向扩散金属氧化物半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：在基层中形成第一掺杂类型的漂移区，在所述基层中形成具有第二掺杂类型的体区，所述漂移区阻碍所述体区向所述漂移区方向的横向扩散，形成所述体区后，在所述基层的第一表面上形成栅介质层和栅极导体。
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