[发明专利]快闪存储器及其形成方法

摘要

一种快闪存储器及其形成方法，快闪存储器包括：半导体衬底，半导体衬底包括有效存储区和引线区，引线区包括第一引线区、第二引线区、引线连接区和源引线区，引线连接区的宽度大于第一引线区的宽度且大于第二引线区的宽度；位于半导体衬底擦除区中和源引线区中的源区；位于半导体衬底擦除区上的擦除栅，擦除栅位于擦除区的源区上且未延伸至引线区；位于半导体衬底部分控制区上的浮栅极结构，浮栅极结构分别位于擦除栅在第二方向的两侧；位于半导体衬底控制区、第一引线区、第二引线区和引线连接区上的控制栅极结构，控制区的控制栅极结构还位于浮栅极结构上；位于引线连接区的控制栅极结构顶部表面的控制栅插塞。所述快闪存储器的性能得到提高。

主权项

1.一种快闪存储器，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括有效存储区和引线区，所述引线区在第一方向与有效存储区邻接，所述有效存储区包括控制擦除区，所述控制擦除区包括擦除区和沿第二方向位于擦除区两侧的控制区，第二方向与第一方向垂直，所述引线区包括第一引线区、第二引线区、引线连接区和源引线区，第一引线区与擦除区一侧的控制区在第一方向邻接，第二引线区与擦除区另一侧的控制区在第一方向邻接，源引线区与擦除区在第一方向邻接，引线连接区沿第二方向延伸且分别与第一引线区和第二引线区连接，第一引线区、第二引线区和引线连接区包围源引线区，引线连接区在第一方向上的宽度大于第一引线区在第二方向上的宽度且大于第二引线区在第二方向上的宽度；位于半导体衬底擦除区中和源引线区中的源区；位于半导体衬底擦除区上的擦除栅，所述擦除栅位于擦除区的源区上且未延伸至引线区；位于半导体衬底部分控制区上的浮栅极结构，且浮栅极结构分别位于擦除栅在第二方向的两侧，浮栅极结构未延伸至引线区；位于半导体衬底控制区、第一引线区、第二引线区和引线连接区上的控制栅极结构，且控制区的控制栅极结构还位于浮栅极结构上；控制栅插塞，所述控制栅插塞位于引线连接区的控制栅极结构的顶部表面。