[发明专利]柔性硅片的制备方法有效
| 申请号： | 201810517115.6 | 申请日： | 2018-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN110526202B | 公开（公告）日： | 2022-11-01 |
| 发明（设计）人： | 冯雪;蒋晔;陈颖;付浩然;张柏诚;刘兰兰 | 申请（专利权）人： | 浙江清华柔性电子技术研究院;清华大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 杭州华进联浙知识产权代理有限公司 33250 | 代理人： | 李丽华 |
| 地址： | 314006 浙江省嘉兴*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及柔性硅片的制备方法，包括步骤：提供一硅片，所述硅片包括第一表面、与所述第一表面相背的第二表面、以及位于所述硅片周侧的侧面；在所述硅片的所述第一表面和所述侧面上形成抗刻蚀层；在所述硅片的所述第二表面上刻蚀形成微结构；采用反应离子刻蚀技术刻蚀形成有所述微结构的硅片，减薄所述硅片；去除所述微结构和所述抗刻蚀层，得到柔性硅片。本发明柔性硅片的制备方法能够实现全面积减薄，且减薄效率高，成品率高。 | ||
| 搜索关键词： | 柔性 硅片 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种柔性硅片的制备方法，其特征在于，包括步骤：/n提供一硅片，所述硅片包括第一表面、与所述第一表面相背的第二表面、以及位于所述硅片周侧的侧面；/n在所述硅片的所述第一表面和所述侧面上形成抗刻蚀层；/n在所述硅片的所述第二表面上刻蚀形成微结构；/n采用反应离子刻蚀技术刻蚀形成有所述微结构的硅片，减薄所述硅片；/n去除所述微结构和所述抗刻蚀层，得到柔性硅片。/n
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