[发明专利]集成电路存储器及其形成方法、半导体集成电路器件在审
| 申请号： | 201810517310.9 | 申请日： | 2018-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN110534517A | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 智云<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种集成电路存储器及其形成方法、半导体集成电路器件。通过在位线组的外围上设置外围隔墙，从而有利于缓解位线组中位于边缘位置的位线产生图形变形的问题，并且还可使位线组中对应边缘位置和对应中间位置的电路排布密集程度相近甚至相同，从而确保所形成的位线组中其各个位线的形貌均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 位线组 边缘位置 位线 半导体集成电路器件 集成电路存储器 外围 形貌 电路排布 图形变形 均匀性 在位线 隔墙 缓解 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路存储器，其特征在于，包括：/n一衬底，所述衬底中具有多个呈阵列式排布的有源区；/n一字线组，形成在所述衬底中，所述字线组包括多条沿着第一方向依次排布的字线，每一所述字线在第二方向上延伸并与相应的所述有源区连接；/n一位线组，形成在所述衬底上，所述位线组包括多条沿着第二方向依次排布的位线，每一所述位线在第一方向上延伸并与相应的所述有源区连接；以及，/n一外围隔墙，形成在所述衬底上并设置在所述位线组的外围，并且所述外围隔墙和所述位线组位于同一结构层中。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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