[发明专利]磁性结、磁性存储器以及提供所述磁性结的方法有效
| 申请号： | 201810517378.7 | 申请日： | 2018-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN108987563B | 公开（公告）日： | 2023-08-08 |
| 发明（设计）人： | 唐学体;冯根;默罕马·托尔菲克·昆恩比 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H10N50/10 | 分类号： | H10N50/10;H10N50/01;G11C11/16 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 刘培培;黄隶凡 |
| 地址： | 韩国京畿道水*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明阐述磁性结、磁性存储器以及提供所述磁性结的方法。所述磁性结存在于衬底上且能够用于磁性器件中。所述磁性结包括被钉扎层、非磁性分隔层、自由层、氧化物层及至少一个氧阻挡层。当写入电流通过所述磁性结时，所述自由层能够在多种稳定磁性状态之间切换。所述非磁性分隔层位于所述被钉扎层与所述自由层之间。所述氧化物层邻近所述自由层。所述自由层位于所述非磁性分隔层与所述氧化物层之间。所述氧阻挡层具有选自邻近所述氧化物层与邻近所述被钉扎层的位置。在一些方面中，磁性结还可包括氧吸附层和/或微调层。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性 存储器 以及 提供 方法 | ||
【主权项】：
1.一种磁性结，存在于衬底上且能够用于磁性器件中，其特征在于，所述磁性结包括：被钉扎层；非磁性分隔层；自由层，当写入电流通过所述磁性结时，所述自由层能够在多种稳定磁性状态之间切换，所述非磁性分隔层存在于所述被钉扎层与所述自由层之间；氧化物层，邻近所述自由层，所述自由层位于所述非磁性分隔层与所述氧化物层之间；以及具有至少一个位置的至少一个氧阻挡层，所述至少一个位置是选自邻近所述氧化物层与邻近所述被钉扎层。
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