[发明专利]金属膜的选择性沉积有效
申请号: | 201810519585.6 | 申请日: | 2018-05-28 |
公开(公告)号: | CN109087885B | 公开(公告)日: | 2022-04-08 |
发明(设计)人: | 尚陈;俊晴渡会;隆大小沼;大石川;邦年难波 | 申请(专利权)人: | ASMIP控股有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人: | 赵蓉民;张全信 |
地址: | 荷兰,*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 金属层能够相对于衬底的一个表面选择性沉积在所述衬底的另一个表面上。在一些实施例中,所述金属层相对于第二含硅表面选择性沉积在第一金属表面上。在一些实施例中,可以任选地在实施所述选择性沉积工艺之前使发生所述选择性沉积的反应室钝化。在一些实施例中,实现了超过约50%或甚至约90%的选择率。 | ||
搜索关键词: | 金属膜 选择性 沉积 | ||
【主权项】:
1.一种用于将膜相对于衬底的第二介电表面选择性沉积在同一个衬底的第一金属表面上的方法,所述方法包含:进行第一金属表面处理工艺,包含通过所述第一金属表面处理工艺从所述衬底的所述第一金属表面去除表面层,使得在所述第二介电表面上不提供大量新的表面基团或配体;以及将膜以大于约50%的选择率相对于所述衬底的所述第二介电表面选择性沉积在所述衬底的所述第一金属表面上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造