[发明专利]薄膜晶体管在审
| 申请号： | 201810519773.9 | 申请日： | 2018-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN108682693A | 公开（公告）日： | 2018-10-19 |
| 发明（设计）人： | 欧甜;张俊明 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/423 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜晶体管，包括：基板，以及设置于基板上的栅极、源极、漏极、半导体层以及绝缘层；源极与漏极位于同一膜层，且两者之间形成有空隙；栅极设置于基板上，且对应位于源极与漏极之间的空隙下方；以及，黑色树脂层，设置于基板与半导体层之间，并且，黑色树脂层的遮光区域至少覆盖半导体层；其中，黑色树脂层用于替代栅极遮挡进入基板的光照射半导体层，以缩小栅极线宽，减小栅极与源极和/或漏极的异层重叠面积，进而减小寄生电容。 | ||
| 搜索关键词： | 基板 半导体层 漏极 源极 黑色树脂层 薄膜晶体管 减小 绝缘层 寄生电容 栅极线宽 遮光区域 光照射 膜层 异层 遮挡 替代 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：基板，以及设置于所述基板上的栅极、源极、漏极、半导体层以及绝缘层；所述源极与所述漏极位于同一膜层，且两者之间形成有空隙；所述栅极设置于所述基板上，且对应位于所述源极与所述漏极之间的空隙下方；以及，遮光层，设置于所述基板与所述栅极之间，并且，所述遮光层的遮光区域至少覆盖所述半导体层。
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