[发明专利]一种超低正向压降的Trench肖特基器件及制造方法在审
| 申请号： | 201810520097.7 | 申请日： | 2018-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN108493258A | 公开（公告）日： | 2018-09-04 |
| 发明（设计）人： | 刘锋;周祥瑞;殷允超 | 申请（专利权）人： | 江苏捷捷微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 226200 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体器件的制造技术领域，涉及一种超低正向压降的Trench肖特基器件，半导体基板包括位于上方的漂移区以及位于下方的衬底，衬底邻接漂移区，漂移区的上表面形成半导体基板的第一主面，衬底的下表面形成半导体基板的第二主面；在有源区内，半导体基板内设有若干个均匀分布的沟槽，沟槽从第一主面指向第二主面的方向上，穿过漂移区延伸到衬底内；在相邻的过渡区和终端区内，半导体基板内设有一个宽沟槽，宽沟槽从第一主面指向第二主面的方向上，穿过漂移区延伸到衬底内；在终端区内，半导体基板的第一主面上淀积有钝化层；本发明通过采用较深沟槽结构，使器件具有更低的正向压降，从而降低正向导通功耗和降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体基板 漂移区 衬底 主面 正向压降 肖特基器件 宽沟槽 指向 终端 半导体器件 深沟槽结构 穿过 正向导通 邻接 钝化层 过渡区 上表面 下表面 延伸 淀积 功耗 制造 | ||
【主权项】：
1.一种超低正向压降的Trench肖特基器件，包括位于半导体基板的有源区和终端区，在所述肖特基器件的俯视平面上，所述有源区位于半导体基板的中心区，终端区位于有源区的外圈并环绕包围所述有源区；在所述肖特基器件的截面上，所述半导体基板包括位于上方的漂移区以及位于下方的衬底，所述衬底邻接漂移区，漂移区的上表面形成半导体基板的第一主面，衬底的下表面形成半导体基板的第二主面；其特征在于：在有源区内，半导体基板内设有若干个均匀分布的沟槽，所述沟槽从半导体基板的第一主面指向第二主面的方向上，穿过漂移区延伸到衬底内；在过渡区及与过渡区相邻的终端区内，半导体基板内设有一个宽沟槽，所述宽沟槽从半导体基板的第一主面指向第二主面的方向上，穿过漂移区延伸到衬底内；在终端区内，半导体基板的第一主面上淀积有钝化层。
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