[发明专利]利用空气作为绝缘介质的半导体纳米线电注入发光器件有效
| 申请号： | 201810520302.X | 申请日： | 2018-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN108831969B | 公开（公告）日： | 2020-02-11 |
| 发明（设计）人： | 廖辉;温培钧;胡晓东 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/20;H01L33/36 |
| 代理公司： | 11360 北京万象新悦知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李稚婷 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公布了一种利用空气作为绝缘介质的半导体纳米线电注入发光器件，包括上、下电极层，在上、下电极层之间是P型(或N型)半导体层和置于其上的多根N型(或P型)半导体纳米线，半导体纳米线与半导体层的接触面构成PN异质结，且半导体纳米线对上电极层起支撑作用，从而在上、下电极层之间形成一层空气层作为绝缘层。该发光器件避免了传统纳米线电注入结构的不足，极大地简化了器件的制备流程和工艺，可以有效改善其电注入并提高器件的光学性质。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体纳米线 发光器件 下电极层 电注入 半导体层 绝缘介质 绝缘层 传统纳米 光学性质 支撑作用 电极层 空气层 异质结 线电 制备 | ||
【主权项】：
1.一种半导体纳米线电注入发光器件，包括上、下电极层，在上、下电极层之间是P型半导体层和水平放置于P型半导体层上的多根N型半导体纳米线，或者是N型半导体层和水平放置于N型半导体层上的多根P型半导体纳米线；该N型或P型半导体纳米线与其下对应的P型或N型半导体层的接触面构成PN异质结；所述半导体纳米线是六棱柱结构的GaN纳米线，对上电极层起支撑作用，从而在上、下电极层之间形成一层空气层。/n
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