[发明专利]基于微波等离子体的碳化硅氧化方法在审
| 申请号： | 201810521156.2 | 申请日： | 2018-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN108584963A | 公开（公告）日： | 2018-09-28 |
| 发明（设计）人： | 刘新宇;汤益丹;王盛凯;白云;杨成樾 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | C01B33/12 | 分类号： | C01B33/12 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种基于微波等离子体的碳化硅氧化方法，包括：提供碳化硅衬底；所述碳化硅衬底放置在微波等离子体发生装置中；通入含氧气体，产生氧等离子体；氧等离子体与碳化硅反应生成预定厚度的二氧化硅；停止通入含氧气体，反应结束；其中，氧等离子体与碳化硅的反应温度为500‑900℃，反应压力为400‑1000mTorr。本发明可以显著提高碳化硅的氧化效率，可以在SiC和SiO2的界面实现热力学非平衡态，大大提高了界面质量。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 氧等离子体 微波等离子体 含氧气体 衬底 微波等离子体发生装置 热力学非平衡态 二氧化硅 反应压力 界面实现 氧化效率 | ||
【主权项】：
1.一种基于微波等离子体的碳化硅氧化方法，其特征在于，包括：提供碳化硅衬底；将所述碳化硅衬底放置在微波等离子体发生装置中；通入含氧气体，产生氧等离子体；氧等离子体与碳化硅反应生成预定厚度的二氧化硅；停止通入含氧气体，反应结束；其中，氧等离子体与碳化硅的反应温度为500‑900℃，反应压力为400‑1000mTorr。
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