[发明专利]一种铯钨青铜粉体结晶度的评价方法在审
| 申请号： | 201810524205.8 | 申请日： | 2018-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN108760783A | 公开（公告）日： | 2018-11-06 |
| 发明（设计）人： | 黄悦;林树莹;周忠华 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | G01N23/2055 | 分类号： | G01N23/2055 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人： | 张松亭;秦彦苏 |
| 地址： | 361000 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种铯钨青铜粉体结晶度的评价方法，采用SiC粉体与铯钨青铜粉体混合后进行XRD测试，通过将铯钨青铜的衍射主峰与SiC的衍射主峰对比，能够实现对铯钨青铜粉体的结晶度差异的评判，从而判断铯钨青铜合成纳米粉体的气敏、光催化、光/气/电致变色、透明导电、透明隔热、光热转换等性质的高低，判断合成工艺的有效性，大量减少探索合成工艺的实验，大量节约成本。 | ||
| 搜索关键词： | 铯钨青铜粉体 结晶度 合成工艺 钨青铜 衍射 主峰 电致变色 光热转换 纳米粉体 透明导电 透明隔热 光催化 粉体 合成 评判 节约 探索 | ||
【主权项】：
1.一种铯钨青铜粉体结晶度的评价方法，其特征在于：包括：1)将CsxWO3粉体与纯度不低于99.9％的纳米SiC粉体按照质量比为1:1～3的比例混合均匀，得到混合粉体；其中0＜x＜1；2)取混合粉体进行XRD表征；3)以SiC衍射主峰的高度HSC为分母，以CsxWO3粉体衍射主峰的高度HCWO与HSC的差值HCWO‑HSC为分子，按照Z＝(HCWO‑HSC)/HSC，计算得到比值Z；4)当所述比值Z大于0时，比值Z的绝对值越大，CsxWO3粉体的结晶度越高；当所述比值Z小于0时，比值Z的绝对值越大，CsxWO3粉体的结晶度越低。
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