[发明专利]微机电系统封装体及其制造方法有效
| 申请号： | 201810524534.2 | 申请日： | 2018-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN109835868B | 公开（公告）日： | 2022-02-18 |
| 发明（设计）人： | 戴文川;胡凡 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/00;B81B7/02 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张福根;冯志云 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开实施例涉及一种具有不同的沟槽深度的微机电系统封装体，及制造上述微机电系统封装体的方法。在一些实施例中，第一装置区中的第一沟槽和切割道区中的切割沟槽系形成在盖基板的前侧。随后，在盖基板上形成并图案化硬掩模。然后，在硬掩模到位的情况下，对盖基板进行蚀刻，使得第一沟槽的底表面的未覆盖部分被凹蚀，而第一沟槽的底表面的覆盖部分并未改变以在第一沟槽中形成停止部。然后，将盖基板的前侧接合到装置基板，将第一沟槽封闭在第一微机电系统装置上。 | ||
| 搜索关键词： | 微机 系统 封装 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造微机电系统封装体的方法，包括：准备一盖基板，具有在该盖基板上定义的一第一装置区及一切割道区；在该盖基板的一前侧，在该第一装置区中形成一第一沟槽以及在该切割道区中形成一切割沟槽；在该盖基板上形成及图案化一硬掩模，以覆盖一部分的该第一沟槽的一底表面，而露出该第一沟槽的该底表面的一剩余部分；在该硬掩模到位的情况下，对该盖基板进行一蚀刻，以使该第一沟槽的该底表面的该未覆盖部分被凹蚀，而该第一沟槽的该底表面的该覆盖部分未改变，以在该第一沟槽中形成一停止部；以及将该盖基板的该前侧接合到一装置基板，封闭在一第一微机电系统装置上的该第一沟槽。
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