[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示装置有效
| 申请号： | 201810524721.0 | 申请日： | 2018-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN108520884B | 公开（公告）日： | 2020-09-04 |
| 发明（设计）人： | 杨昆 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/77;G06F3/041 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 钟子敏 |
| 地址： | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种阵列基板及其制备方法、显示装置，该阵列基板包括衬底基板；多膜层结构，形成于衬底基板上，多膜层结构至少包括层间绝缘层，层间绝缘层上设置有开孔，用以释放膜层间的应力；触控信号线层，形成于多膜层结构上。通过上述方式，本申请能够实现有效释放阵列基板上各膜层间的应力，防止切裂制程中导致框胶处覆盖的膜层发生断裂的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 及其 制备 方法 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：衬底基板；多膜层结构，形成于所述衬底基板上，所述多膜层结构至少包括层间绝缘层，所述层间绝缘层上设置有开孔，用以释放膜层间的应力；触控信号线层，形成于所述多膜层结构上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
