[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201810528707.8 | 申请日： | 2018-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN108933143B | 公开（公告）日： | 2023-09-05 |
| 发明（设计）人： | 金智熏;李垣哲 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H10B43/00 | 分类号： | H10B43/00;H10B43/30 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件，包括：衬底，包括单元区域和周边区域；以及衬底上的底部电极。底部电极布置在均在第一方向上延伸的第一行和第二行中。第一行和第二行在垂直于第一方向的第二方向上彼此相邻。第一行中的底部电极包括在第一方向上分开第一距离的最外面的底部电极和次最外面的底部电极。第二行中的底部电极包括在第一方向上分开第二距离的最外面的底部电极和次最外面的底部电极。第一行中的最外面的底部电极位于衬底的周边区域上。第二行中的最外面的底部电极位于衬底的单元区域上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：衬底，包括单元区域和周边区域；以及在衬底上的底部电极，所述底部电极布置在均在第一方向上延伸的第一行和第二行中，所述第一行和所述第二行在垂直于所述第一方向的第二方向上彼此相邻，所述第一行中的底部电极包括在所述第一方向上分开第一距离的最外面的底部电极和次最外面的底部电极，所述第二行中的底部电极包括在所述第一方向上分开第二距离的最外面的底部电极和次最外面的底部电极，所述第一行中的最外面的底部电极位于所述衬底的周边区域上，并且所述第二行中的最外面的底部电极位于所述衬底的单元区域上。
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