[发明专利]LDMOS晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201810531384.8 | 申请日： | 2018-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN108598156A | 公开（公告）日： | 2018-09-28 |
| 发明（设计）人： | 王猛;喻慧 | 申请（专利权）人： | 矽力杰半导体技术（杭州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310012 浙江省杭州市西湖区文三路90*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种LDMOS晶体管，包括临近漏端的场氧化层和沿长度方向与所述场氧化层相邻的至少一个漏氧化层，其中，所述漏氧化层的厚度小于所述场氧化层的厚度，当所述漏氧化层的个数大于1时，从所述漏端到所述沟道方向所述漏氧化层的厚度递减；还包括位于漏极区域的具有第二掺杂类型的漂移区，从所述漏端到所述沟道方向所述漂移区的注入深度递减。本发明提出的所述厚度递减的漏氧化层可以很好的缓解鸟嘴效应，改善热载流子效应，提高晶体管的可靠性和击穿电压，所述注入深度递减的漂移区使得晶体管的击穿电压和导通电阻获得更好的折中。 | ||
| 搜索关键词： | 漏氧化层 场氧化层 漂移区 厚度递减 击穿电压 晶体管 沟道 漏端 递减 热载流子效应 掺杂类型 导通电阻 漏极区域 鸟嘴效应 缓解 制造 | ||
【主权项】：
1.一种LDMOS晶体管，其特征在于，包括临近漏端的场氧化层和沿长度方向与所述场氧化层相邻的至少一个漏氧化层；其中，所述漏氧化层的厚度小于所述场氧化层的厚度，通过调节所述场氧化层和所述漏氧化层的长度比值，以提高所述LDMOS晶体管的击穿电压性能。
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