[发明专利]一种氧化镓欧姆接触电极的制备方法有效
| 申请号： | 201810532221.1 | 申请日： | 2018-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN108461404B | 公开（公告）日： | 2020-12-11 |
| 发明（设计）人： | 夏晓川;梁红伟;张贺秋;柳阳 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | H01L21/443 | 分类号： | H01L21/443;H01L29/45 |
| 代理公司： | 大连理工大学专利中心 21200 | 代理人： | 温福雪;侯明远 |
| 地址： | 116024 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： |
本发明属于半导体器件欧姆接触电极制作技术领域，提供了一种氧化镓欧姆接触电极的制备方法，步骤如下：步骤1、在氧化镓层上依次预沉积镁层和金层，镁层的厚度为1nm～1mm，金层的厚度为1nm～1mm；步骤2、将上述样品进行热处理，热处理的条件如下：热处理温度为100℃～800℃；热处理时间为30s～3600s；热处理压强为1×10 |
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| 搜索关键词： | 一种 氧化 欧姆 接触 电极 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氧化镓欧姆接触电极的制备方法，其特征在于，步骤如下：步骤1、在氧化镓层(1)上依次预沉积镁层(2)和金层(3)，镁层(2)的厚度为1nm～1mm，金层(3)的厚度为1nm～1mm；步骤2、将上述样品进行热处理，热处理的条件如下：热处理温度为100℃～800℃；热处理时间为30s～3600s；热处理压强为1×10‑6Pa～1×106Pa；热处理气氛为真空、惰性气体中的一种或两种以上组合；步骤3、温度降到室温后，取出，即为氧化镓欧姆接触电极。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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