[发明专利]一种半导体晶圆扩晶器有效
申请号: | 201810532881.X | 申请日: | 2018-05-29 |
公开(公告)号: | CN108511375B | 公开(公告)日: | 2020-10-09 |
发明(设计)人: | 李涵;孙勇 | 申请(专利权)人: | 江苏爱矽半导体科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 221000 江苏省徐州市徐州经济*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明属于半导体封装技术领域,具体的说是一种半导体晶圆扩晶器,包括壳体、伸缩气缸、托盘和蓝膜箱,还包括扩晶模块、加热模块和导正模块,壳体为圆筒形;伸缩气缸安装在壳体上顶部;托盘固定安装在壳体的底部;蓝膜箱位于壳体外壁的两侧,蓝膜箱用于装蓝膜;扩晶模块安装在伸缩气缸的下端,扩晶模块用于对晶圆进行扩晶;加热模块安装在壳体的内壁上,加热模块用于对晶圆进行加热;导正模块用于将晶圆在托盘导正使晶圆处于托盘的正中心。本发明主要用于扩晶自动化生产,速度快且省力,芯片间距可调,扩晶后芯片间距一致,大大提高扩晶的效率和扩晶的产品质量,对晶圆的加热效果更加均匀,晶圆均匀受热,在晶圆扩晶时扩晶的效率高。 | ||
搜索关键词: | 一种 半导体 晶圆扩晶器 | ||
【主权项】:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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