[发明专利]一种太阳能电池制造工艺有效
申请号: | 201810532989.9 | 申请日: | 2018-05-29 |
公开(公告)号: | CN108767061B | 公开(公告)日: | 2019-10-15 |
发明(设计)人: | 顾雨彤;刘昊天 | 申请(专利权)人: | 绍兴市亚索新能源科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0236;B28D5/04;B28D7/04 |
代理公司: | 绍兴市寅越专利代理事务所(普通合伙) 33285 | 代理人: | 焦亚如 |
地址: | 312000 浙江省绍兴*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明属于太阳能电池制造技术领域,具体的说是一种太阳能电池制造工艺,该制造工艺的晶体硅切割装置包括底座、固定支架、双滑块无杆气缸、支撑架、切割装置、固定座、夹紧块、立板;所述固定支架安装在底座上;所述双滑块无杆气缸固定在固定支架上;所述支撑架数量为二,固定在双滑块无杆气缸的滑块上;所述切割装置固定在支撑架上;所述固定座数量为二,其中一个固定座固定在固定支架上,另一个固定座固定在立板上;所述夹紧块夹紧块固定在固定座上;所述立板固定在底座上。本发明能够提高成品的质量,提高生产效率,有利于大批量的太阳能电池的生产。 | ||
搜索关键词: | 固定座 太阳能电池 固定支架 无杆气缸 制造工艺 夹紧块 双滑块 支撑架 立板 底座 切割装置 晶体硅切割 生产效率 滑块 制造 生产 | ||
【主权项】:
1.一种太阳能电池制造工艺,其特征在于:该制造工艺包括如下步骤;步骤一:将晶体硅原料放置于晶体硅切割装置上进行切割;步骤二:步骤一切割完成后,将切割好的晶体硅置于碱液中去除损伤层,同时使晶体硅表面凹凸不平,形成漫反射,减少直射到晶体硅表面的太阳能损失;步骤三:步骤二中晶体硅腐蚀后,对晶体硅做扩散处理,使晶体硅形成PN结;步骤四:步骤三中扩散处理后,对处理后的晶体硅进行边缘刻蚀与清洗,使晶体硅初步变为太阳能电池;步骤五:步骤四中晶体硅形成太阳能电池雏形后,通过丝网印刷法将银铝浆印刷在太阳能电池的正背面,以形成正负电极引线;步骤六:步骤五中太阳能电池印刷完成后,通过共烧工艺使太阳能电池形成金属接触;步骤七:步骤六中共烧工艺完成后,对制备好的太阳能进行测试和分档,最后归类;其中,步骤一中所述的晶体硅切割装置包括底座(1)、固定支架(2)、双滑块无杆气缸(3)、支撑架(4)、切割装置(5)、固定座(6)、夹紧块(7)和立板(8);所述固定支架(2)安装在底座(1)上;所述双滑块无杆气缸(3)固定在固定支架(2)上,双滑块无杆气缸(3)用于带动切割装置(5)上下运动;所述支撑架(4)数量为二,支撑架(4)分别固定在双滑块无杆气缸(3)的滑块上;所述切割装置(5)数量为二,切割装置(5)固定在支撑架(4)上,切割装置(5)上下相对设置,切割装置(5)用于切割晶体硅;所述固定座(6)数量为二,其中一个固定座(6)固定在固定支架(2)上,另一个固定座(6)固定在立板(8)上,固定座(6)用于放置单晶硅;所述夹紧块(7)数量为二,夹紧块(7)分别设置于两块固定座(6)上,夹紧块(7)左右对立设置;所述立板(8)固定在底座(1)上,立板(8)用于支撑固定座(6)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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