[发明专利]一种半导体二极管生产制造工艺有效
申请号: | 201810534881.3 | 申请日: | 2018-05-29 |
公开(公告)号: | CN108470684B | 公开(公告)日: | 2021-03-19 |
发明(设计)人: | 陈欣洁;王勇 | 申请(专利权)人: | 上海朋熙半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/329 | 分类号: | H01L21/329 |
代理公司: | 广州海藻专利代理事务所(普通合伙) 44386 | 代理人: | 张大保 |
地址: | 201800 上海市嘉定*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明属于二极管生产制造技术领域,具体的说是一种半导体二极管生产制造工艺,包括酸洗、电镀、焊接、绝缘保护、引脚折弯和后处理等工艺步骤;所述引脚折弯工序中所用到的二极管引脚成形设备包括安装架、折弯模块和夹持模块,安装架包括工作台和支撑架;支撑架位于工作台下端;工作台上设置有弧形通孔,且弧形通孔位于折弯模块处;夹持模块位于工作台的台面上,夹持模块与工作台为可拆卸式连接,夹持模块用于夹持二极管的引脚;折弯模块位于夹持模块端部,折弯模块用于对二极管的引脚折弯;本发明通过二极管引脚成形设备改良了二极管生产制造工艺,使得二极管引脚的折弯方式更为简单,提高了二极管引脚的折弯效率以及二极管的品质。 | ||
搜索关键词: | 一种 半导体 二极管 生产 制造 工艺 | ||
【主权项】:
1.一种半导体二极管生产制造工艺,其特征在于:采用如下工艺步骤进行生产制造:步骤一:酸洗;将二极管芯片放置在硫酸和磷酸的混酸溶液内进行酸腐蚀,且硫酸与磷酸的体积比为1:2,腐蚀时间为10~15min,酸温度控制在1~5℃之间;步骤二:电镀;待步骤步骤一酸洗工序完成后,酸洗后的二极管芯片经电镀,在二极管芯片表面形成金属保护层,镀层厚度为3~5μm,镀层金属为锡;步骤三:焊接;待步骤步骤二电镀工序完成后,将两金属制的引脚(4)、焊片和电镀后的二极管芯片装入工夹具内,送入焊接炉三次加温,第一次温度控制在270~280℃,焊接时间为4~5min,第二次温度控制在280~290℃,焊接时间为4~5min,第三次温度控制在290~300℃,焊接时间为4~5min,使二极管芯片与引脚(4)连接;步骤四:绝缘保护;待步骤步骤三焊接工序完成后,焊接后的材料经清洗烘干后,用相应治具上绝缘保护胶,再经固化工艺,促使引脚(4)上的绝缘保护胶所形成的胶层(41)完全固化;步骤五:引脚(4)折弯;待步骤步骤四绝缘保护工序完成后,将二极管的引脚(4)放入二极管引脚(4)成形设备中,先对二极管引脚(4)夹持固定和对二极管引脚(4)的胶层软化,然后对二极管引脚(4)折弯成形;步骤六:后处理;待步骤步骤五引脚(4)折弯工序完成后,对固化好的产品进行表面处理,再测试成品包装;其中,所述步骤五中所用到的二极管引脚成形设备,包括包括安装架(1)、折弯模块(2)和夹持模块(3),所述安装架(1)包括工作台(11)和支撑架(12);所述支撑架(12)位于工作台(11)下端,支撑架(12)与工作台(11)固连,支撑架(12)用于支撑工作台(11);所述工作台(11)上设置有弧形通孔(111),且弧形通孔(111)位于折弯模块(2)处;所述夹持模块(3)位于工作台(11)的台面上,夹持模块(3)与工作台(11)为可拆卸式连接,夹持模块(3)用于夹持二极管的引脚(4);所述折弯模块(2)位于夹持模块(3)端部,折弯模块(2)用于对二极管的引脚(4)折弯。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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