[发明专利]基于氧化锡/氧化镓异质结纳米阵列的柔性气敏传感器及其制备方法有效
| 申请号： | 201810535322.4 | 申请日： | 2018-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN108535337B | 公开（公告）日： | 2021-04-20 |
| 发明（设计）人： | 杨丽娜 | 申请（专利权）人： | 杨丽娜 |
| 主分类号： | G01N27/12 | 分类号： | G01N27/12 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 322207 浙江省金华*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种基于氧化锡/氧化镓异质结纳米阵列的柔性气敏传感器及其制备方法，括Ti/Au电极，柔性玻璃纤维布衬底，位于柔性玻璃纤维布衬底上的SnO |
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| 搜索关键词： | 基于 氧化 镓异质结 纳米 阵列 柔性 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于氧化锡/氧化镓异质结纳米阵列的柔性气敏传感器，其特征在于，包括Ti/Au电极，柔性玻璃纤维布衬底，位于柔性玻璃纤维布衬底上的SnO2薄膜和位于SnO2薄膜上方的β‑Ga2O3纳米柱阵列；SnO2薄膜位于β‑Ga2O3纳米柱阵列和柔性玻璃纤维布衬底，SnO2薄膜与β‑Ga2O3纳米柱阵列之间接触面形成异质结；所述Ti/Au电极包括两个，其中一个位于SnO2薄膜上方，另一个位于β‑Ga2O3纳米柱阵列上方。
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