[发明专利]基于氧化镓异质结结构的柔性日盲紫外探测器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种基于氧化镓异质结结构的柔性日盲紫外探测器及其制备方法，包括玻璃纤维布衬底，设置于玻璃纤维布衬底上方的α‑Ga2O3薄膜，设置于α‑Ga2O3薄膜上方的α‑Ga2O3/β‑Ga2O3异质结纳米柱阵列，设置于α‑Ga2O3/β‑Ga2O3异质结纳米柱阵列间隙的α‑Ga2O3薄膜上方的β‑Ga2O3薄膜，以及Ti/Au薄膜电极；所述α‑Ga2O3/β‑Ga2O3异质结纳米柱阵列包括分布于α‑Ga2O3薄膜上方的α‑Ga2O3纳米柱阵列，包覆于α‑Ga2O3纳米柱外围的β‑Ga2O3外壳，α‑Ga2O3薄膜与β‑Ga2O3薄膜之间构成α‑Ga2O3/β‑Ga2O3异质结薄膜层；Ti/Au薄膜电极为两个，一个设置于α‑Ga2O3/β‑Ga2O3异质结纳米柱阵列上方，另一个设置于α‑Ga2O3薄膜上方。本发明的探测器反应灵敏，暗电流小，具有很好的紫外光电响应，在可穿戴设备、紫外线检测和智能纺织品等领域具有很大的应用前景。

主权项

1.基于氧化镓异质结结构的柔性日盲紫外探测器，其特征在于，包括玻璃纤维布衬底，设置于玻璃纤维布衬底上方的α‑Ga2O3薄膜，设置于α‑Ga2O3薄膜上方的α‑Ga2O3/β‑Ga2O3异质结纳米柱阵列，设置于α‑Ga2O3/β‑Ga2O3异质结纳米柱阵列间隙的α‑Ga2O3薄膜上方的β‑Ga2O3薄膜，以及Ti/Au薄膜电极；所述α‑Ga2O3/β‑Ga2O3异质结纳米柱阵列包括分布于α‑Ga2O3薄膜上方的α‑Ga2O3纳米柱阵列，包覆于α‑Ga2O3纳米柱外围的β‑Ga2O3外壳，α‑Ga2O3薄膜与β‑Ga2O3薄膜之间构成α‑Ga2O3/β‑Ga2O3异质结薄膜层；Ti/Au薄膜电极为两个，一个设置于α‑Ga2O3/β‑Ga2O3异质结纳米柱阵列上方，另一个设置于α‑Ga2O3薄膜上方。