[发明专利]晶体管栅极的制造方法

摘要

本发明涉及一种晶体管栅极的制造方法，涉及集成电路制造技术，包括：在隔离区与有源区上依次淀积上多晶硅、氮化硅、氧化硅、无定型碳层及有机涂层材料层；刻蚀掉有机涂层材料层，并进一步消除无定型碳层表面的起伏，使经该次刻蚀工艺后的无定型碳层的表面平整；淀积无氮介质抗反射层和涂布底部抗反射层，并进行光刻胶涂布显影工艺；然后依次进行底部抗反射层的刻蚀、无氮介质抗反射层、无定型碳、氧化硅膜以及氮化硅膜的刻蚀；然后去无定型碳；然后进行晶体管的栅极切割及多晶硅刻蚀，得到晶体管的栅极形貌，以消除底部抗反射层对晶体管栅极关键尺寸的影响，改善晶体管的特性。

主权项

1.一种晶体管栅极的制造方法，其特征在于，包括：步骤S1，在隔离区与有源区上依次淀积上多晶硅、氮化硅、氧化硅、无定型碳层及有机涂层材料层；步骤S2，刻蚀掉有机涂层材料层材料，并进一步消除无定型碳层表面的起伏，使经该次刻蚀工艺后的无定型碳层的表面平整；步骤S3，在步骤S2的基础上淀积无氮介质抗反射层和涂布底部抗反射层，并进行光刻胶涂布显影工艺；步骤S4，在步骤S3的基础上以光刻胶为掩膜进行底部抗反射层的刻蚀；步骤S5，在步骤S4的基础上以光刻胶为掩膜层进行无氮介质抗反射层的刻蚀；步骤S6，在步骤S5的基础上以无氮介质抗反射层为掩膜层进行无定型碳的刻蚀；步骤S7，在步骤S6的基础上以无定型碳为掩膜层进行氧化硅膜刻蚀；步骤S8，在步骤S7的基础上以无定型碳为掩膜层进行氮化硅膜刻蚀；步骤S9，在步骤S8的基础上去无定型碳；以及步骤S10，在步骤S9的基础上进行晶体管的栅极切割及多晶硅刻蚀，得到晶体管的栅极形貌。