[发明专利]用于失效类型识别的方法和装置有效
| 申请号： | 201810538016.6 | 申请日： | 2018-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN108598014B | 公开（公告）日： | 2019-05-24 |
| 发明（设计）人： | 侯宗林;彭睿博 | 申请（专利权）人： | 英特尔产品（成都）有限公司;英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 钟胜光 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及用于失效类型识别的方法和装置，该方法包括：获取在芯片的热压结合TCB期间测量的多个TCB关键参数的值；根据所获取的所述多个TCB关键参数的值，设置用于识别所述芯片的TCB导致的任一失效类型的特定TCB关键参数的值，其中，所述任一失效类型指示某种TCB事件导致的某种特定失效，所述特定TCB关键参数是所述多个TCB关键参数中的至少两个；判断所述多个特定TCB关键参数的值是否都位于正常值范围之外；如果判断结果是肯定的，则确定所述芯片发生了所述任一失效类型。利用该方法和装置，能够准确地识别芯片发生的失效类型。 | ||
| 搜索关键词： | 关键参数 失效类型 方法和装置 芯片 判断结果 热压结合 测量 | ||
【主权项】：
1.一种用于失效类型识别的方法，包括：获取在芯片的热压结合TCB期间测量的多个TCB关键参数的值；根据所获取的所述多个TCB关键参数的值，设置用于识别所述芯片的TCB导致的任一失效类型的特定TCB关键参数的值，其中，所述任一失效类型指示某种TCB事件导致的某种特定失效，所述任一失效类型的所述特定TCB关键参数是所述多个TCB关键参数中的至少两个；判断所述任一失效类型的所述特定TCB关键参数的值是否都位于正常值范围之外；以及如果判断结果是肯定的，则确定所述芯片发生了所述任一失效类型。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
