[发明专利]碲锌镉辐射敏感场效应晶体管及其制备方法

摘要

本发明公开了一种碲锌镉辐射敏感场效应晶体管及其制备方法，在碲锌镉衬底上形成辐射敏感场效应晶体管，该器件的栅极绝缘层为高阻碲锌镉薄膜，加强了探测器对于高能射线的捕获能力和灵敏度。低阻碲锌镉衬底作为沟道层，与绝缘层晶格常数匹配，增加了器件的稳定性。对于低阻碲锌镉衬底进行离子注入工艺，引入高浓度的杂质陷阱，可以有效调节器件的阈值电压，减小源漏接触电阻，增加器件灵敏度。该RadFET结构探测器工艺简单，对于碲锌镉晶体要求较低，适用于辐射剂量的探测，具有广泛的应用前景。

主权项

1.一种碲锌镉辐射敏感场效应晶体管，其特征在于：包括衬底(1)、栅电极(4)、栅绝缘层(2)、沟道层(3)和源漏电极(5)；在衬底(1)上形成栅绝缘层(2)，在栅绝缘层(2)上形成栅电极(4)，其特征在于：沟道层(3)嵌入于衬底(1)表层中，在相邻的两个沟道层(3)表面上分别形成源电极和漏电极，组成源漏电极(5)功能层，源漏电极(5)穿过栅绝缘层(2)的图案化孔，栅电极(4)形成于在相邻的两个沟道层(3)之间的栅绝缘层(2)表面上，所述衬底(1)和栅绝缘层(2)的材料均采用碲锌镉材料制成，其中，衬底(1)采用低阻碲锌镉晶体材料制成，在衬底(1)上形成高阻碲锌镉薄膜，作为栅绝缘层(2)。/n