[发明专利]半导体器件及其制作方法

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制作方法，其中，制作方法包括：提供基板，首次先后植入锗离子和N型掺杂离子于P型阱层的表层并沿基板的厚度方向延伸，形成N型轻掺杂层；刻蚀形成栅极沟槽；在栅极沟槽的表面形成栅极绝缘氧化层；沉积金属于栅极沟槽形成栅极金属层，并掺杂P型掺杂离子形成N型可调变轻掺杂区，沉积介电隔离层覆盖基板的上表面，并刻蚀介电隔离层以露出漏极区域的表面；再次先后植入锗离子和N型掺杂离子于漏极区域，并沿P型硅衬底部的厚度方向延伸至P型阱层的表层中，以使漏极区域的深度大于源极区域的深度；以及制作字线金属层。实施本发明，能够在提高晶体管的导通电流的同时不增加读取字位讯号的误判率。

主权项

1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：提供基板，所述基板具有多个有源区，以及设置在所述有源区之间的晶体管隔离结构以隔离所述有源区，所述有源区包括P型阱层；通过离子注入法先后植入锗离子和N型掺杂离子于所述基板的所述P型阱层的表层并沿所述基板的厚度方向延伸，形成N型轻掺杂层，所述N型轻掺杂层包括漏极区域和源极区域；刻蚀所述基板穿过所述N型轻掺杂层以及刻蚀部分所述P型阱层形成栅极沟槽，其中，所述源极区域包括位于所述栅极沟槽与所述晶体管隔离结构之间的N型轻掺杂层，以及所述漏极区域包括位于相邻的阵列场效应晶体管的所述栅极沟槽之间的N型轻掺杂层；在所述栅极沟槽的表面形成栅极绝缘氧化层；沉积金属于所述栅极沟槽底部，以形成栅极金属层；透过所述栅极绝缘氧化层植入P型掺杂离子于所述N型轻掺杂层中紧邻所述栅极绝缘氧化层的区域，以形成N型可调变轻掺杂区；沉积介电隔离层于所述栅极沟槽内的栅极金属层表面，以覆盖所述基板的上表面；部分刻蚀所述介电隔离层，以露出所述漏极区域的表面；以刻蚀后的所述介电隔离层为屏蔽，通过离子注入法先后植入锗离子和N型掺杂离子于所述漏极区域，并沿所述基板的厚度方向延伸至所述P型阱层的表层中，以使所述N型轻掺杂层在所述漏极区域的厚度大于所述N型轻掺杂层在所述源极区域的厚度。