[发明专利]一种受电设备有效
| 申请号： | 201810542835.8 | 申请日： | 2018-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN110557262B | 公开（公告）日： | 2021-05-18 |
| 发明（设计）人： | 曹金灿;唐雪锋 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | H04L12/10 | 分类号： | H04L12/10 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 公开了一种受电设备(PD)。该PD的整流电路采用4个MOSFET以降低成本。并且这4个MOSFET的位置按照触点对1，2上的电势低于触点对3，6上的电势并且触点对7，8上的电势低于触点对4，5上的电势的前提布置，使得每一触点组的PoE电流仅经过其中两个MOSFET而不经过二极管，以降低功率损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 设备 | ||
【主权项】：
1.一种受电设备PD，包括以太网端口，整流电路和PD电路，其中，/n所述以太网端口包括第一触点对，第二触点对，第三触点对和第四触点对，所述第一触点对用于与以太网线的1，2线对相连，所述第二触点对用于与以太网线的3，6线对相连，所述第三触点对用于与以太网线的4，5线对相连，所述第四触点对用于与以太网线的7，8线对相连；/n所述整流电路包括四个金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET和至少四个二极管；/n所述四个MOSFET分别为第一MOSFET，第二MOSFET，第三MOSFET和第四MOSFET；/n所述至少四个二极管包括第一二极管，第二二极管，第三二极管和第四二极管；/n所述第一触点对与所述第一二极管的阳极相连，并且与所述第一MOSFET的第一端相连；/n所述第二触点对与所述第二二极管的阴极相连，并且与所述第二MOSFET的第一端相连；/n所述第三触点对与所述第三二极管的阴极相连，并且与所述第三MOSFET的第一端相连；/n所述第四触点对与所述第四二极管的阳极相连，并且与所述第四MOSFET的第一端相连；/n所述PD电路的电源输入正极与所述第一二极管的阴极相连，并且与所述第二MOSFET的第二端相连，并且与所述第三MOSFET的第二端相连，并且与所述第四二极管的阴极相连；/n所述PD电路的电源输入负极与所述第一MOSFET的第二端相连，并且与所述第二二极管的阳极相连，并且与所述第三二极管的阳极相连，并且与所述第四MOSFET的第二端相连。/n
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