[发明专利]横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201810545876.2 | 申请日： | 2018-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN108807543A | 公开（公告）日： | 2018-11-13 |
| 发明（设计）人： | 游步东;喻慧;王猛;杜益成;彭川;宋洵奕 | 申请（专利权）人： | 矽力杰半导体技术（杭州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310012 浙江省杭州市西湖区文三路90*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法，所述横向扩散金属氧化物半导体器通过在漂移区下方形成设置与漂移区掺杂类型相反的减小表面场效应层来辅助耗尽漂移区，以提高半导体器件的耐压性能，且还使得所述减小表面场效应层与所述漂移区之间的第一间距设置得大于零，从而可以确保所述减小表面场效应层和漂移区之间具有一定的电子流经路径，以降低半导体器件的导通电阻。因此，依据本发明提供的横向扩散金属氧化物半导体器件的耐压性能和导通电阻性能均能得到最优化。 | ||
| 搜索关键词： | 漂移区 横向扩散金属氧化物半导体器件 表面场效应 减小 半导体器件 导通电阻 耐压性能 横向扩散金属氧化物半导体 掺杂类型 间距设置 最优化 耗尽 制造 | ||
【主权项】：
1.一种横向扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于包括：基层，位于所述基层中且具有第一掺杂类型的减小表面场效应层，位于所述基层中且位于所述减小表面场效应层之上的漂移区，所述漂移区为第二掺杂类型，位于所述漂移区中的漏极区，所述漏极区为第二掺杂类型，其中，所述减小表面场效应层与所述漂移区之间的第一间距大于零。
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