[发明专利]一种动态存储的单元电路及设计方法在审

专利信息
申请号: 201810548266.8 申请日: 2018-05-31
公开(公告)号: CN108766490A 公开(公告)日: 2018-11-06
发明(设计)人: 夏月石 申请(专利权)人: 夏月石
主分类号: G11C11/412 分类号: G11C11/412;G11C11/417
代理公司: 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 代理人: 梁田
地址: 230000 安徽省合*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明公开了一种动态存储的单元电路及设计方法,包括多个存储元电路,存储元电路包括存储元以及开关控制电路,存储元为电容,所述开关控制电路包括开关电路以及控制电路,所述开关电路控制存储元电路的信号输入,所述控制电路接收开关电路的信号从而控制存储元进行信息存储,将所述存储元的高电位一端与下一个存储元的开关电路输入端相连,形成若干个存储元电路串联,开关电路一打开,将上一个存储单元的信号转移到下一个存储元电路,将存储元电路从头进行标号,将奇数列存储元输入端的开关电路控制端连接在同一导线A,将偶数列存储元输入端的开关电路控制端连接在同一导线B,向A、B导线依次通入周期性的电信号,使得信号进行转移存储。
搜索关键词: 存储 开关电路 电路 开关电路控制 开关控制电路 单元电路 动态存储 控制电路 同一导线 存储单元 电路串联 控制存储 信号输入 信号转移 信息存储 高电位 偶数列 奇数列 输入端 电容
【主权项】:
1.一种动态存储的单元电路,其特征在于,包括多个存储元电路,所述存储元电路包括N沟增强型场效管M1,所述场效管M1的漏极为存储元电路的数据输入端,场效管M1的源极连接NPN型三极管的基极,所述三极管的集电极同时连接电阻以及P沟增强型场效管M2的栅极,所述电阻和场效管M2的源极连接直流电源正极,场效管M2的漏极连接电容,所述电容和三极管的发射极连接直流电源的负极,同时场效管M2的漏极也作为存储元电路的数据输出端;所述数据输出端与下一个存储元电路的数据输入端相连,形成若干个存储元电路串联,将存储元电路从第一个进行标号,第一个存储元电路为U1,第二个存储元电路为U2,第n个为存储元电路为Un,因此,形成奇数位标号的存储元电路为U1、U3、U(2n+1)以及偶数位标号的U2、U4、U(2n),所述奇数位标号存储元电路U1、U3、U(2n+1)的场效管M1的栅极连接导线A,所述偶数位标号存储元电路U2、U4、U(2n)的场效管M1的栅极连接导线B,工作时,向A、B导线依次通入周期性的电信号。
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